Андрей Смирнов
Время чтения: ~25 мин.
Просмотров: 12

Транзистор d1555

D1857 Datasheet Download — Unisonic Technologies

Номер произв D1857
Описание 2SD1857
Производители Unisonic Technologies
логотип  
1Page

No Preview Available !

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
2SD1857
NPN SILICON TRANSISTOR
POWER TRANSISTOR
FEATURES

* High breakdown voltage.(BVCEO=120V)

* Low collector output capacitance.(Typ.20pF at VCB=10V)

* High transition frequency.(fT=80MHz)

1
TO-92
1
TO-92NL
*Pb-free plating product number: 2SD1857L
ORDERING INFORMATION
Order Number
Normal
Lead Free Plating
2SD1857-x-T92-B
2SD1857L-x-T92-B
2SD1857-x-T92-K
2SD1857L-x-T92-K
2SD1857-x-T9N-B
2SD1857L-x-T9N-B
2SD1857-x-T9N-K
2SD1857L-x-T9N-K
2SD1857-x-T9N-R
2SD1857L-x-T9N-R
Package
TO-92
TO-92
TO-92NL
TO-92NL
TO-92NL
Pin Assignment
123
ECB
ECB
ECB
ECB
ECB
Packing
Tape Box
Bulk
Tape Box
Bulk
Tape Reel
2SD1857L-x-T92-B
www.DataSheet4U.com
(1)Packing Type
(2)Package Type
(3)Rank
(4)Lead Plating
(1) B: Tape Box, K: Bulk, R: Tape Reel
(2) T92: TO-92, T9N: TO-92NL

(3) x: refer to Classification of hFE

(4) L: Lead Free Plating, Blank: Pb/Sn
www.unisonic.com.tw
Copyright 2005 Unisonic Technologies Co., Ltd
1 of 2
QW-R201-057,C

No Preview Available !

2SD1857
NPN SILICON TRANSISTOR

ABSOLUTE MAXIMUM RATING (Ta=25 )

PARAMETER
SYMBOL
RATINGS
UNIT
Collector-Base Voltage

VCBO 120 V

Collector-Emitter Voltage

VCEO 120 V

Emitter-Base Voltage

VEBO 5 V

Collector Power Dissipation

PC 1 W

Collector Current

IC 2 A

Collector Current

ICP 3 A

Junction Temperature

TJ +150

Storage Temperature

TSTG

-55 ~ +150
Note: Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.
Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 )

PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN TYP MAX UNIT

Collector-Base Breakdown Voltage BVCBO IC=50µA

120 V

Collector-Emitter Breakdown Voltage BVCEO IC=1mA

120 V
Emitter-Base Breakdown Voltage

BVEBO IE=50µA

5V
Collector Cut-off Current

ICBO VCB=100V

1 µA
Emitter Cut-off Current

IEBO VEB=4V

1 µA
DC Current Transfer Ratio

hFE VCE=5V, IC=0.1A

82 390

Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(SAT) IC=/IB=1A/0.1A(Note)

0.4 V
Transition Frequency

fT VCE=5V, IE= -0.1A, f=30MHz.

80 MHz
Output Capacitance

Cob VCB=10V, IE=0A, f=1MHz(Note)

20
pF
Note Measured using pulse current.

CLASSIFICATION OF hFE

RANK
RANGE
P
82-180
Q
120-270
R
180-390
www.DataSheet4U.com
UTC assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that
exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or
other parameters) listed in products specifications of any and all UTC products described or contained
herein. UTC products are not designed for use in life support appliances, devices or systems where
malfunction of these products can be reasonably expected to result in personal injury. Reproduction in
whole or in part is prohibited without the prior written consent of the copyright owner. The information
presented in this document does not form part of any quotation or contract, is believed to be accurate
and reliable and may be changed without notice.
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
www.unisonic.com.tw
2 of 2
QW-R201-057,C

Всего страниц 2 Pages
Скачать PDF

Процессор в оптовой упаковке

Intel поставляет эти процессоры OEM-производителям, которые предустанавливают их в свои системы. Intel называет такие процессоры процессорами в оптовой упаковке или OEM-процессорами. Для таких процессоров Intel не предоставляет непосредственное гарантийное обслуживание. За гарантийной поддержкой обращайтесь к OEM-производителю или реселлеру.

Биполярный транзистор 2SD1555 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SD1555

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 165
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8

Корпус транзистора: ISO218

2SD1555
Datasheet (PDF)

1.1. 2sd1555.pdf Size:29K _wingshing

NPN TRIPLE DIFFUSED
2SD1555 PLANAR SILICON TRANSISTOR
COLOR TV HORIZONTAL OUTPUT
APPLICATIONS(Damper Diode BUILT IN)
High Collector-Base Voltage(VCBO=1500V) 2-16E3A
High Speed Switching
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25oC)
A
Characteristic Symbol Rating Unit
Collector-Base Voltage VCBO 1500 V
Collector-Emitter Voltage VCEO 1500 V
Emitter-Base voltage VEBO 6 V
Collector Current

1.2. 2sd1555.pdf Size:77K _jmnic

Product Specification www.jmnic.com
Silicon NPN Power Transistors 2SD1555
DESCRIPTION ·
·With TO-3P(H)IS package
·Built-in damper diode
·High voltage ,high speed
·Low collector saturation voltage
APPLICATIONS
·For color TV horizontal output applications
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 Base
2 Collector
3 Emitter
Fig.1 simplified outline (TO-3P(H)IS) and symbol
ABSOLUTE

 1.3. 2sd1555.pdf Size:213K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1555
DESCRIPTION
·High Breakdown Voltage-
: V = 1500V (Min)
CBO
·High Switching Speed
·Low Saturation Voltage
·Built-in Damper Diode
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for color TV horizontal output applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAMETER VAL

Другие транзисторы… 2SD1548
, 2SD1549
, 2SD155
, 2SD1550
, 2SD1551
, 2SD1552
, 2SD1553
, 2SD1554
, 2SC1740
, 2SD1556
, 2SD1557
, 2SD1558
, 2SD1559
, 2SD1559A
, 2SD156
, 2SD1562
, 2SD1562A
.

Замена и эквиваленты

Бывает, что вышедший из строя компонент уже не продается. Поэтому радиолюбители подбирают транзистор, который похож по своим техническим характеристикам на неисправный или ищут его аналог. Для поиска аналогов используют информацию из даташит на устройство и приведенные в нем технические характеристики.

Полные аналоги с d1555 по корпусу, его распиновке и техническому описанию, имеют следующие импортные транзисторы: 2SC42943; 2SC4744; BU508D; D1651; D2095; D2195; ECG2331. Можно подобрать  похожий по характеристикам, например d5703, как показано на видео ниже о подборе строчника.

Подходящей замены из отечественных устройств для данного импульсника нет. Некоторые умельцы используют в качестве альтернативы, на отдельных вариантах схем, советский КТ838А. Это очень сомнительное решение, вместе с которым надо учесть отсутствие у этого него защитного диода, резистора и при этом наличие большого металлического корпуса.

2SD1556 Datasheet (PDF)

1.1. 2sd1556.pdf Size:69K _wingshing

NPN TRIPLE DIFFUSED
2SD1556 PLANAR SILICON TRANSISTOR
COLOR TV HORIZONTAL OUTPUT
APPLICATIONS(Damper Diode BUILT IN)
High Collector-Base Voltage(VCBO=1500V) 2-16E3A
High Speed Switching
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25℃
℃)


A
Characteristic Symbol Rating Unit
Collector-Base Voltage VCBO 1500 V
Collector-Emitter Voltage VCEO 1500 V
Emitter-Base voltage VEBO 6 V
Co

1.2. 2sd1556.pdf Size:76K _jmnic

Product Specification www.jmnic.com
Silicon NPN Power Transistors 2SD1556
DESCRIPTION ·
·With TO-3P(H)IS package
·Built-in damper diode
·High voltage ,high speed
·Low collector saturation voltage
APPLICATIONS
·For color TV horizontal output applications
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 Base
2 Collector
3 Emitter
Fig.1 simplified outline (TO-3P(H)IS) and symbol
ABSOLUTE

 1.3. 2sd1556.pdf Size:116K _inchange_semiconductor

Inchange Semiconductor Product Specification
Silicon NPN Power Transistors 2SD1556
DESCRIPTION ·
·With TO-3P(H)IS package
·Built-in damper diode
·High voltage ,high speed
·Low collector saturation voltage
APPLICATIONS
·For color TV horizontal output applications
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 Base
2 Collector
Fig.1 simplified outline (TO-3P(H)IS) and symbol
3 Emitter

Биполярный транзистор 2SD1556 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SD1556

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 165
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8

Корпус транзистора: ISO218

2SD1556
Datasheet (PDF)

1.1. 2sd1556.pdf Size:69K _wingshing

NPN TRIPLE DIFFUSED
2SD1556 PLANAR SILICON TRANSISTOR
COLOR TV HORIZONTAL OUTPUT
APPLICATIONS(Damper Diode BUILT IN)
High Collector-Base Voltage(VCBO=1500V) 2-16E3A
High Speed Switching
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25℃
℃)


A
Characteristic Symbol Rating Unit
Collector-Base Voltage VCBO 1500 V
Collector-Emitter Voltage VCEO 1500 V
Emitter-Base voltage VEBO 6 V
Co

1.2. 2sd1556.pdf Size:76K _jmnic

Product Specification www.jmnic.com
Silicon NPN Power Transistors 2SD1556
DESCRIPTION ·
·With TO-3P(H)IS package
·Built-in damper diode
·High voltage ,high speed
·Low collector saturation voltage
APPLICATIONS
·For color TV horizontal output applications
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 Base
2 Collector
3 Emitter
Fig.1 simplified outline (TO-3P(H)IS) and symbol
ABSOLUTE

 1.3. 2sd1556.pdf Size:116K _inchange_semiconductor

Inchange Semiconductor Product Specification
Silicon NPN Power Transistors 2SD1556
DESCRIPTION ·
·With TO-3P(H)IS package
·Built-in damper diode
·High voltage ,high speed
·Low collector saturation voltage
APPLICATIONS
·For color TV horizontal output applications
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 Base
2 Collector
Fig.1 simplified outline (TO-3P(H)IS) and symbol
3 Emitter

Другие транзисторы… 2SD1549
, 2SD155
, 2SD1550
, 2SD1551
, 2SD1552
, 2SD1553
, 2SD1554
, 2SD1555
, BU508
, 2SD1557
, 2SD1558
, 2SD1559
, 2SD1559A
, 2SD156
, 2SD1562
, 2SD1562A
, 2SD1563
.

Технические характеристики

D882 имеет достаточно хорошие технические параметры. Не много транзисторов, в корпусе TO-126, могут похвастаться возможностью пропускать через себя импульсные токи величиной до 6 А. Рассмотрим другие его максимальные значения предельно допустимых эксплуатационных значений:

  • напряжение между: К-Б — VCBO (Uкб max) до 40 В; К-Е — VCEO (Uкэ max) до 30 В;Э-Б — VEBO (Uэб max) до 6 В;
  • коллекторный ток: постоянный IC (Iк max) = 3 А; переменный, при tP < 5ms — ICM (Iки max) до 6 А;
  • ток базы IB (IБ max) = 3 А до 1 А;
  • мощность рассеиваемая на коллекторе РСк max) до 1.25 Вт;
  • тепловое сопротивление перехода Rthj-case —  10 ° C/Вт;
  • диапазон температур хранения и использования Tstg = -55 … 150 оС;
  • температура кристалла TJ до 150 оС.

Электрические параметры

Электрические параметры D882 тоже неплохие. Они представлены в даташит в виде отдельной таблицы с дополнительными условиями их измерений. Температуре окружающей среды, при этом, составляет не более 25 оС.

Коэффициента усиления по току

В зависимости от коэффициента передачи тока (hFE) транзистор D882 делятся на четыре группы по буквам: R (маленькое) – от 60 до 120; О (среднее) от 100 до 200; Y (высокое)– от 160 до 320; GR (самое большое) от 200 до 400.

Влияние радиатора

Стоит учитывать сильный нагрев D882 при использовании в предельно допустимых режимах, которые могут привести к выходу его из строя. Вероятности такого исхода очень высока, поэтому не рекомендуется длительная эксплуатация устройства на максимальных значениях.

Большое значение, в повышении надежности и уменьшении нагрева транзистора при работе, имеет его система охлаждения. Ниже приведен график зависимости рассеиваемой мощности (по горизонтали) от температуры окружающей среды (по вертикали). При тестировании изготовитель использует алюминиевый радиатор толщиной 10 мм.

Как видно из графика, при температуре вокруг корпуса выше +25ОС рассеиваемая мощность D882 начинает понижаться, а при +150ОС падает до ноля. На рисунке наглядно показана положительная роль использования радиатора для подобных электронных устройств.

2SD1554 Datasheet (PDF)

1.1. 2sd1554.pdf Size:29K _wingshing

NPN TRIPLE DIFFUSED
2SD1554 PLANAR SILICON TRANSISTOR
COLOR TV HORIZONTAL OUTPUT
APPLICATIONS(Damper Diode BUILT IN)
High Collector-Base Voltage(VCBO=1500V) 2-16E3A
High Speed Switching
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25oC)
A
Characteristic Symbol Rating Unit
Collector-Base Voltage VCBO 1500 V
Collector-Emitter Voltage VCEO 1500 V
Emitter-Base voltage VEBO 6 V
Collector Current

1.2. 2sd1554.pdf Size:78K _jmnic

Product Specification www.jmnic.com
Silicon NPN Power Transistors 2SD1554
DESCRIPTION ·
·With TO-3P(H)IS package
·Built-in damper diode
·High voltage ,high speed
·Low collector saturation voltage
APPLICATIONS
·For color TV horizontal output applications
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 Base
2 Collector
3 Emitter
Fig.1 simplified outline (TO-3P(H)IS) and symbol
ABSOLUTE

 1.3. 2sd1554.pdf Size:214K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1554
DESCRIPTION
·High Breakdown Voltage-
: V = 1500V (Min)
CBO
·High Switching Speed
·Low Saturation Voltage
·Built-in Damper Diode
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for color TV horizontal output applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAMETER VAL

Биполярный транзистор 2SD1564 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SD1564

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8000

Корпус транзистора: TO220

2SD1564
Datasheet (PDF)

1.1. 2sd1564.pdf Size:57K _no



1.2. 2sd1564.pdf Size:210K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD1564
DESCRIPTION
·Low Collector-Emitter Saturation Voltage-
: V = 1.5V(Max) @I = 2A
CE(sat) C
·High DC Current Gain
: h = 2000(Min) @I = 2A
FE C
·Low Saturation Voltage
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for audi

 4.1. 2sd1565.pdf Size:106K _st

SD1565
RF & MICROWAVE TRANSISTORS
UHF PULSED APPLICATIONS
.500 WATTS @ 250µSec PULSE WIDTH,
10% DUTY CYCLE
.REFRACTORY GOLD METALLIZATION
.EMITTER BALLASTING AND LOW
RESISTANCE FOR RELIABILITY AND
RUGGEDNESS
.INFINITE VSWR CAPABILITY AT
.400 x .500 4LFL (M102)
SPECIFIED OPERATING CONDITIONS
hermetically sealed
.INPUT MATCHED, COMMON BASE
ORDER CODE BRANDING
CONFIGURATION
SD1565

4.2. 2sd1563a.pdf Size:47K _rohm



 4.3. 2sd1562a.pdf Size:48K _rohm



4.4. 2sd1565.pdf Size:210K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD1565
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = 100V(Min)
(BR)CEO
·High DC Current Gain-
: h = 2000(Min)@ (V = 2V, I = 2A)
FE CE C
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for low frequency power amplifiers and low speed
switching applications.
ABSOLUTE

 4.5. 2sd1563a.pdf Size:212K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1563A
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = 160V (Min)
(BR)CEO
·Wide Area of Safe Operation
·Complement to Type 2SB1086A
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for low frequency power amplifier applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAM

4.6. 2sd1563.pdf Size:212K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1563
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = 120V (Min)
(BR)CEO
·Wide Area of Safe Operation
·Complement to Type 2SB1086
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for low frequency power amplifier applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAMET

4.7. 2sd1562 2sd1562a.pdf Size:126K _inchange_semiconductor

Inchange Semiconductor Product Specification
Silicon NPN Power Transistors 2SD1562 2SD1562A
DESCRIPTION ·
·With TO-220C package
·Complement to type 2SB1085/1085A
·High transition frequency
APPLICATIONS
·For low freuqency power amplifier
applications
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 Base
Collector;connected to
2
mounting base
3 Emitter
Absolute maximum ratings(Tc=25℃

4.8. 2sd1562.pdf Size:213K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1562
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = 120V (Min)
(BR)CEO
·Wide Area of Safe Operation
·Complement to Type 2SB1085
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for low frequency power amplifier applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAMET

4.9. 2sd1566.pdf Size:199K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD1566
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = 100V(Min)
(BR)CEO
·Collector-Emitter Saturation Voltage-
: V = 1.5V(Max) @I = 10A
CE(sat) C
·Fast Switching Speed
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for high current switching

Другие транзисторы… 2SD1557
, 2SD1558
, 2SD1559
, 2SD1559A
, 2SD156
, 2SD1562
, 2SD1562A
, 2SD1563
, BC556
, 2SD1565
, 2SD1566
, 2SD1567
, 2SD1568
, 2SD1569
, 2SD157
, 2SD1571
, 2SD1572
.

2SD1564 Datasheet (PDF)

1.1. 2sd1564.pdf Size:57K _no



1.2. 2sd1564.pdf Size:210K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD1564
DESCRIPTION
·Low Collector-Emitter Saturation Voltage-
: V = 1.5V(Max) @I = 2A
CE(sat) C
·High DC Current Gain
: h = 2000(Min) @I = 2A
FE C
·Low Saturation Voltage
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for audi

 4.1. 2sd1565.pdf Size:106K _st

SD1565
RF & MICROWAVE TRANSISTORS
UHF PULSED APPLICATIONS
.500 WATTS @ 250µSec PULSE WIDTH,
10% DUTY CYCLE
.REFRACTORY GOLD METALLIZATION
.EMITTER BALLASTING AND LOW
RESISTANCE FOR RELIABILITY AND
RUGGEDNESS
.INFINITE VSWR CAPABILITY AT
.400 x .500 4LFL (M102)
SPECIFIED OPERATING CONDITIONS
hermetically sealed
.INPUT MATCHED, COMMON BASE
ORDER CODE BRANDING
CONFIGURATION
SD1565

4.2. 2sd1563a.pdf Size:47K _rohm



 4.3. 2sd1562a.pdf Size:48K _rohm



4.4. 2sd1565.pdf Size:210K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD1565
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = 100V(Min)
(BR)CEO
·High DC Current Gain-
: h = 2000(Min)@ (V = 2V, I = 2A)
FE CE C
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for low frequency power amplifiers and low speed
switching applications.
ABSOLUTE

 4.5. 2sd1563a.pdf Size:212K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1563A
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = 160V (Min)
(BR)CEO
·Wide Area of Safe Operation
·Complement to Type 2SB1086A
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for low frequency power amplifier applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAM

4.6. 2sd1563.pdf Size:212K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1563
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = 120V (Min)
(BR)CEO
·Wide Area of Safe Operation
·Complement to Type 2SB1086
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for low frequency power amplifier applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAMET

4.7. 2sd1562 2sd1562a.pdf Size:126K _inchange_semiconductor

Inchange Semiconductor Product Specification
Silicon NPN Power Transistors 2SD1562 2SD1562A
DESCRIPTION ·
·With TO-220C package
·Complement to type 2SB1085/1085A
·High transition frequency
APPLICATIONS
·For low freuqency power amplifier
applications
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 Base
Collector;connected to
2
mounting base
3 Emitter
Absolute maximum ratings(Tc=25℃

4.8. 2sd1562.pdf Size:213K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1562
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = 120V (Min)
(BR)CEO
·Wide Area of Safe Operation
·Complement to Type 2SB1085
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for low frequency power amplifier applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAMET

4.9. 2sd1566.pdf Size:199K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD1566
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = 100V(Min)
(BR)CEO
·Collector-Emitter Saturation Voltage-
: V = 1.5V(Max) @I = 10A
CE(sat) C
·Fast Switching Speed
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for high current switching

Результаты подбора транзистора (поиска аналога)

Type  Mat  Struct  Pc  Ucb  Ic  Tj  Ft  Hfe  Caps
2SC2364  Si  NPN  80  200  5  175    40  TO218
2SC2581  Si  NPN  100  200  10  150  10  80  TO218
2SC2723  Si  NPN  150  450  15  150  30  150  TO218
2SC2944  Si  NPN  100  250  15  150    40  TO218
2SC3032  Si  NPN  80  900  7  175    150  TO218
2SC3040  Si  NPN  80  500  8  150    40  TO218
2SC3054  Si  NPN  100  500  20  150    350  TO218
2SC3083  Si  NPN  60  500  6  150    55  TO218
2SC3088  Si  NPN  60  800  4  175    60  TO218
2SC3089  Si  NPN  80  800  7  175    60  TO218
2SC3285  Si  NPN  80  1000  4  175    45  TO218
2SC3318  Si  NPN  80  500  10  150    45  TO218
2SC3387  Si  NPN  50  1200  5  150    50  TO218
2SC3403  Si  NPN  25  500  2  150    65  TO218
2SC3409  Si  NPN  80  900  2  175    45  TO218
2SC3505  Si  NPN  80  900  6  150    60  TO218
2SC3682  Si  NPN  120  1500  7  200    80  TO218
2SC3683  Si  NPN  150  1500  8  200    70  TO218
2SC3685  Si  NPN  120  1500  6  150    60  TO218
2SC3686  Si  NPN  120  1500  7  150    60  TO218
2SC3715  Si  NPN  50  1500  4  150    50  TO218
2SC3758  Si  NPN  70  500  10  150    40  TO218
2SC3759  Si  NPN  75  500  45  150    60  TO218
2SC3760  Si  NPN  60  500  10  150    100  TO218
2SC3761  Si  NPN  75  500  15  150    160  TO218
2SC3813  Si  NPN  150  300  7  175  10  40  TO218
2SC3842  Si  NPN  70  600  10  150  32  55  TO218
2SC3843  Si  NPN  75  600  10  150  28  60  TO218
2SC3844  Si  NPN  75  600  15  150  30  60  TO218
2SC3847  Si  NPN  85  1200  10  150  15  100  TO218
2SC3855  Si  NPN  100  200  10  150  20  100  TO218
2SC3869  Si  NPN  35  500  5  150    40  TO218
2SC3909  Si  NPN  100  900  5  200    40  TO218
2SC3910  Si  NPN  150  900  15  150    80  TO218
2SC3927  Si  NPN  120  900  10  175    50  TO218
2SC3962  Si  NPN  40  500  5  150    40  TO218
2SC3979  Si  NPN  40  1000  3  150    90  TO218
2SC3980  Si  NPN  70  1000  4  150    45  TO218
2SC3981  Si  NPN  80  1000  5  150    45  TO218
2SC4023  Si  NPN  150  1500  10  150    70  TO218
2SC4073  Si  NPN  30  500  5  150    200  TO218
2SC4123  Si  NPN  60  1500  7  175    70  TO218
2SC4138  Si  NPN  80  500  10  150    45  TO218
2SC4139  Si  NPN  120  500  15  150    45  TO218
2SC4143  Si  NPN  50  1500  5  150    160  TO218
2SC4144  Si  NPN  50  1300  8  150    200  TO218
2SC4191  Si  NPN  20  500  2  200    50  TO218
2SC4192  Si  NPN  30  500  3  200    50  TO218
2SC4193  Si  NPN  40  500  5  200    50  TO218
2SC4194  Si  NPN  50  500  7  150    45  TO218
2SC4219  Si  NPN  40  500  4  175    50  TO218
2SC4220  Si  NPN  50  500  7  150    50  TO218
2SC4221  Si  NPN  40  800  3  150    50  TO218
2SC4222  Si  NPN  50  800  5  150    50  TO218
2SC4224  Si  NPN  50  1100  3  150    40  TO218
2SC4275  Si  NPN  80  500  10  150    120  TO218
2SC4277  Si  NPN  80  500  5  150    60  TO218
2SC4298  Si  NPN  80  500  15  150    55  TO218
2SC4299  Si  NPN  70  900  3  150    40  TO218
2SC4300  Si  NPN  75  900  5  150    40  TO218
2SC4303  Si  NPN  80  1400  6  150    90  TO218
2SC4303A  Si  NPN  80  1500  6  150    45  TO218
2SC4427  Si  NPN  50  1100  4.5  175  15  200  TO218
2SC4428  Si  NPN  55  1100  6  150  15  200  TO218
2SC4429  Si  NPN  60  1100  8  150  15  350  TO218
2SC4430  Si  NPN  65  1100  12  150  15  200  TO218
2SC4434  Si  NPN  120  500  15  150    350  TO218
2SC4435  Si  NPN  100  1500  5  150    70  TO218
2SC4437  Si  NPN  50  1500  5  200    120  TO218
2SC4438  Si  NPN  50  1500  5  200    200  TO218
2SC4597  Si  NPN  40  500  4  150  20  70  TO218
2SC4598  Si  NPN  50  500  7  150  20  70  TO218
2SC4599  Si  NPN  40  800  3  150  18  120  TO218
2SC4600  Si  NPN  50  800  5  150  18  200  TO218
2SC4602  Si  NPN  50  1100  3  150  15  350  TO218
2SD1336  Si  NPN  40  200  6  150    3000  TO218
2SD1336A  Si  NPN  40  250  6  150    3000  TO218
2SD1461  Si  NPN  80  430  5  150    1000  TO218
2SD1466  Si  NPN  100  500  15  150    200  TO218
2SD1479  Si  NPN  80  1500  2  150    280  TO218
2SD1503  Si  NPN  50  900  6  150    45  TO218
2SD1534  Si  NPN  45  500  7  150    1200  TO218
2SD1557  Si  NPN  20  200  2  150  10  40  TO218
2SD1611  Si  NPN  40  500  6  150    33000  TO218
2SD1673  Si  NPN  70  500  10  150    600  TO218
2SD1908  Si  NPN  50  330  7  150    45  TO218
2SD930  Si  NPN  30  200  5  150    5000  TO218
BU931P  Si  NPN  135  500  15  175    80  TO218
BU941P  Si  NPN  155  500  15  175    300  TO218
BU941ZP  Si  NPN  155  350  15  175    300  TO218
ECG2307  Si  NPN  80  200  5  175    500  TO218
ECG2316  Si  NPN  105    10  150    100  TO218
ECG2317  Si  NPN  105    15  150    40  TO218
ECG256  Si  NPN  150    10  150    50  TO218
ECG270  Si  NPN  125    10  150    100  TO218
MJH10012  Si  NPN  118  550  10  150    300  TO218
NTE2316  Si  NPN  120  500  10      130  TO218
NTE2317  Si  NPN  150  500  15      300  TO218
TIP160  Si  NPN  50  320  10  150    200  TO218
TIP161  Si  NPN  50  350  10  150    200  TO218
TIP162  Si  NPN  50  380  10  200    200  TO218

Всего результатов: 101

NTE1557 Datasheet Download — NTE

Номер произв NTE1557
Описание Integrated Circuit FM/AM IF System
Производители NTE
логотип  
1Page

No Preview Available !

NTE1557
Integrated Circuit
FM/AM IF System
Description:
The NTE1557 is a monolithic integrated circuit in a 16–Lead DIP type package developed for the radio
cassette tape recorder included AM/FM IF amplifier and detector.
Functions:

D AM Section:

IF Amplifier with AGC Detector

D Voltage Regulator for RF External Circuit

D FM Section:

IF Amplifier
Quadrature Detector
Post Amplifier
Signal Meter Driver Circuit
Features:

D Suitable for Radio Cassette and Home Stereo

D Wide Operating Supply Voltage Range (3.0V to 14V)

D Low Quiescent Circuit Current

D AM Section

D Simplified Input Circuit IFT (Ceramic Filter Type)

RF AGC Available

D FM Section:

High Limiting Sensitivity (33dBµ, Typ)

Low Residual Noise (45dB at Vi = –10dBµ)

Small Side Peak of Detuned Output Voltage

Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)

Supply Voltage, VCC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16V

Power Dissipation, PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600mW

Operating Temperature Range, Topr . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –20° to +70°C

Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +125°C

No Preview Available !

Electrical Characteristics: (TA = +25°C, VCC = 5.5V, unless otherwise specified)

Parameter
Symbol
Test Conditions
Min Typ Max Unit

FM Section (f = 10.7MHz, fm = 1kHz, ∆f = ±75kHz)

Quiescent Circuit Current

ICC Vi = 0

Input Limiting Sensitivity

Vi(lim) VO (Vi = 100dBµ) –3dB

Detector Output Voltage

VO VI = 100dBµ

Total Harmonic Distortion

THD Vi = 100dBµ

AM Rejection Ratio

AMR Vi = 100dBµ

Signal to Noise Ratio

S/N Vi = 100dBµ

Signal Meter Output

VM Vi = 100dBµ

Residual Noise

VN VO (AF) (Vi = 100dBµ)

Muting Attenuation

M(att) VI = 37dBµ, Mute SW on

AM Section (f = 455kHz, fm = 1kHz, 30% Mod)

7 11 16.5 mA

– 33 38 dBµ

180 245 310 mV

– 0.3 1.0 %

50 60 – dB

72 83 – dB

1.05 1.5 2.05 V

– 45 – dB

– 35 – dB

Quiescent Circuit Current
Maximum Sensitivity
Detector Output Voltage
Total Harmonic Distortion
Signal to Noise Ratio
Signal Meter Output
Input Impedance (Pin 16)

ICC

Vi(sen)

Vo

THD
S/N

VM

Ri

Vi = 0

VO (AF) = 10mV

Vi = 74dBµ

Vi = 74dBµ

Vi = 100dB

Vi = 74dBµ

VI = 100dBµ

Pin 16 0.8–0.9VDC

– 8 – mA

– 29 – dBµ

45 65 85 mV

– 0.3 2.0 %

– 0.7 3.5 %

45 55 – dBµ

1.2 1.4 1.6 V

1.45 2.12 2.8 kΩ

Pin Connection Diagram

1st IF Amp Input (FM) 1

1st IF Decouple (FM) 2

VCC (FM) 3

1st IF Amp Output (FM) 4

GND 5

2nd IF Amp Input (FM) 6

Voltage Regulator 7

Phase Shifter (FM) 8

16 1st IF Amp Input (AM)

15 AGC Decouple

14 2nd IF Amp Input (AM)

13 GND

12 Detector Output

11 VCC

10 Center Meter

9 FM Output

No Preview Available !

16 9
18
.870 (22.0) Max
.200
(5.08)
Max
.260 (6.6)
Max
.100 (2.54)
.700 (17.78)
.099 (2.5) Min

Всего страниц 3 Pages
Скачать PDF

Связанные материалы

Простой Hi-Fi УМЗЧ на микросхеме ТА8216Н…
Здравствуйте, уважаемые жители Датагории! Закончил очередную конструкцию усилителя мощности…

Простой ламповый стереоусилитель 6Н2П+6П14 в корпусе усилителя «Радиотехника У-101″…
Первым удачным ламповым опытом в моей радиолюбительской жизни стал этот усилитель на лампах…

Усилитель TL082 + UTC2030 с виртуальной массой…
Идея приготовить самодельный усилитель из того, что имеется под рукой родилась неожиданно, когда…

Ламповый усилитель SRPP на 6Н23П для наушников в корпусе от внешнего HDD…
Сидели, как то с друзьями и слушали музыку, один друг и говорит: «А как будет звучать ламповый…

Гибридный усилитель для наушников: лампа 6AQ8 (6Н23П) + IRF540…
Приветствую вас, уважаемые датагорцы! Представляю вашему вниманию гибридный усилитель для наушников…

Еще один усилитель на TDA7294…
Вот однажды решил сделать себе Hi-Fi усилитель, долго думал, на чём собрать, остановился на TDA…

Простой винил-корректор для проигрывателя «Арктур-006-стерео» по схеме А. Бокарёва…
Случайно в мои руки попал проигрыватель пластинок «Арктур-006-стерео». Поэтому появилась острая…

Эффект «Shark Tube Distortion» для электрогитары…
Споры между теми, кто почитает устои лампостроения, уверовав в необходимость высокого анодного…

Замена БП «польской» TV-антены на питание от +12V телевизора…
Всем привет, очень редко пишу, но вот решился

Решил я описать свой опыт, может кому пригодится….

Гитарный преамп Bogner Sharp на лампах 6Ф1П…
Внимание! Статья не претендует на научность, и скорее повествует о том, как собирают (и как лучше…

Мой первый усилитель на TDA2050 с ИБП…
Здравствуйте, дрУги! Заранее прошу прощения за качество иллюстраций. Итак всё началось с попытки…

О монтаже сигнальных цепей в ламповом усилителе

Борьба с фоном, заземление…
ГЕННАДИЙ СЕМЕНОВИЧ ГЕНДИН, «ВЫСОКОКАЧЕСТВЕННЫЕ ЛАМПОВЫЕ УСИЛИТЕЛИ ЗВУКОВОЙ ЧАСТОТЫ» От правильности…

Проверка работоспособности

Вопрос о том, как проверить строчный транзистор d2499 мультиметром и определить его исправность встречается очень часто. На практике его тестируют стандартным способом, как обычный биполяник, но при этом есть свои нюансы. Рассмотрим их подробнее, они характерны для большинства подобных устройств.

Так как структура нашего строчника NPN, то для начала необходимо установить мультиметр в режим «прозвонки диодов». Отрицательный щуп (черный) ставим на вывод Б, а положительным (красным) соединяем с контактом К. На тестере, при этом, должно появится небольшое падение напряжения. При смене полярности будет отображаться цифра «1», КЗ быть не должно.

Далее надо проверить переход Б-Э. Ставим красный щуп на контакт Э, черный остаётся на Б. Так как между выводами Б и Э стоит резистор, то мультиметр будет пищать, сигнализируя прохождение тока. Необходимо проверить сопротивление на этом участке, оно должно быть в пределах от 40 до 50 Ом.

Между выводов К-Э установлен демпферный диод и это надо учитывать. В режиме «прозвонки диодов» на тестере отображается падение напряжения. Сопротивление между этими контактами транзистора замеряется на пределе до 200 мОм. У оригинального 2SD2499 оно составляет более 150 мОм. И чем выше это значение, тем лучше.

Пример проверки похожих строчных транзисторов можно посмотреть в видеоролике.

2SD1555 Datasheet (PDF)

1.1. 2sd1555.pdf Size:29K _wingshing

NPN TRIPLE DIFFUSED
2SD1555 PLANAR SILICON TRANSISTOR
COLOR TV HORIZONTAL OUTPUT
APPLICATIONS(Damper Diode BUILT IN)
High Collector-Base Voltage(VCBO=1500V) 2-16E3A
High Speed Switching
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25oC)
A
Characteristic Symbol Rating Unit
Collector-Base Voltage VCBO 1500 V
Collector-Emitter Voltage VCEO 1500 V
Emitter-Base voltage VEBO 6 V
Collector Current

1.2. 2sd1555.pdf Size:77K _jmnic

Product Specification www.jmnic.com
Silicon NPN Power Transistors 2SD1555
DESCRIPTION ·
·With TO-3P(H)IS package
·Built-in damper diode
·High voltage ,high speed
·Low collector saturation voltage
APPLICATIONS
·For color TV horizontal output applications
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 Base
2 Collector
3 Emitter
Fig.1 simplified outline (TO-3P(H)IS) and symbol
ABSOLUTE

 1.3. 2sd1555.pdf Size:213K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1555
DESCRIPTION
·High Breakdown Voltage-
: V = 1500V (Min)
CBO
·High Switching Speed
·Low Saturation Voltage
·Built-in Damper Diode
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for color TV horizontal output applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAMETER VAL

Рейтинг автора
5
Материал подготовил
Максим Иванов
Наш эксперт
Написано статей
129
Ссылка на основную публикацию
Похожие публикации