Андрей Смирнов
Время чтения: ~25 мин.
Просмотров: 0

Транзистор d1555

D1857 Datasheet Download — Unisonic Technologies

Номер произвD1857
Описание2SD1857
ПроизводителиUnisonic Technologies
логотип 
1Page

No Preview Available !

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
2SD1857
NPN SILICON TRANSISTOR
POWER TRANSISTOR
FEATURES

* High breakdown voltage.(BVCEO=120V)

* Low collector output capacitance.(Typ.20pF at VCB=10V)

* High transition frequency.(fT=80MHz)

1
TO-92
1
TO-92NL
*Pb-free plating product number: 2SD1857L
ORDERING INFORMATION
Order Number
Normal
Lead Free Plating
2SD1857-x-T92-B
2SD1857L-x-T92-B
2SD1857-x-T92-K
2SD1857L-x-T92-K
2SD1857-x-T9N-B
2SD1857L-x-T9N-B
2SD1857-x-T9N-K
2SD1857L-x-T9N-K
2SD1857-x-T9N-R
2SD1857L-x-T9N-R
Package
TO-92
TO-92
TO-92NL
TO-92NL
TO-92NL
Pin Assignment
123
ECB
ECB
ECB
ECB
ECB
Packing
Tape Box
Bulk
Tape Box
Bulk
Tape Reel
2SD1857L-x-T92-B
www.DataSheet4U.com
(1)Packing Type
(2)Package Type
(3)Rank
(4)Lead Plating
(1) B: Tape Box, K: Bulk, R: Tape Reel
(2) T92: TO-92, T9N: TO-92NL

(3) x: refer to Classification of hFE

(4) L: Lead Free Plating, Blank: Pb/Sn
www.unisonic.com.tw
Copyright 2005 Unisonic Technologies Co., Ltd
1 of 2
QW-R201-057,C

No Preview Available !

2SD1857
NPN SILICON TRANSISTOR

ABSOLUTE MAXIMUM RATING (Ta=25 )

PARAMETER
SYMBOL
RATINGS
UNIT
Collector-Base Voltage

VCBO 120 V

Collector-Emitter Voltage

VCEO 120 V

Emitter-Base Voltage

VEBO 5 V

Collector Power Dissipation

PC 1 W

Collector Current

IC 2 A

Collector Current

ICP 3 A

Junction Temperature

TJ +150

Storage Temperature

TSTG

-55 ~ +150
Note: Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.
Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 )

PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN TYP MAX UNIT

Collector-Base Breakdown Voltage BVCBO IC=50µA

120 V

Collector-Emitter Breakdown Voltage BVCEO IC=1mA

120 V
Emitter-Base Breakdown Voltage

BVEBO IE=50µA

5V
Collector Cut-off Current

ICBO VCB=100V

1 µA
Emitter Cut-off Current

IEBO VEB=4V

1 µA
DC Current Transfer Ratio

hFE VCE=5V, IC=0.1A

82 390

Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(SAT) IC=/IB=1A/0.1A(Note)

0.4 V
Transition Frequency

fT VCE=5V, IE= -0.1A, f=30MHz.

80 MHz
Output Capacitance

Cob VCB=10V, IE=0A, f=1MHz(Note)

20
pF
Note Measured using pulse current.

CLASSIFICATION OF hFE

RANK
RANGE
P
82-180
Q
120-270
R
180-390
www.DataSheet4U.com
UTC assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that
exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or
other parameters) listed in products specifications of any and all UTC products described or contained
herein. UTC products are not designed for use in life support appliances, devices or systems where
malfunction of these products can be reasonably expected to result in personal injury. Reproduction in
whole or in part is prohibited without the prior written consent of the copyright owner. The information
presented in this document does not form part of any quotation or contract, is believed to be accurate
and reliable and may be changed without notice.
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
www.unisonic.com.tw
2 of 2
QW-R201-057,C

Всего страниц2 Pages
Скачать PDF

Процессор в оптовой упаковке

Intel поставляет эти процессоры OEM-производителям, которые предустанавливают их в свои системы. Intel называет такие процессоры процессорами в оптовой упаковке или OEM-процессорами. Для таких процессоров Intel не предоставляет непосредственное гарантийное обслуживание. За гарантийной поддержкой обращайтесь к OEM-производителю или реселлеру.

Биполярный транзистор 2SD1555 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SD1555

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 165
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8

Корпус транзистора: ISO218

2SD1555
Datasheet (PDF)

1.1. 2sd1555.pdf Size:29K _wingshing

NPN TRIPLE DIFFUSED
2SD1555 PLANAR SILICON TRANSISTOR
COLOR TV HORIZONTAL OUTPUT
APPLICATIONS(Damper Diode BUILT IN)
High Collector-Base Voltage(VCBO=1500V) 2-16E3A
High Speed Switching
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25oC)
A
Characteristic Symbol Rating Unit
Collector-Base Voltage VCBO 1500 V
Collector-Emitter Voltage VCEO 1500 V
Emitter-Base voltage VEBO 6 V
Collector Current

1.2. 2sd1555.pdf Size:77K _jmnic

Product Specification www.jmnic.com
Silicon NPN Power Transistors 2SD1555
DESCRIPTION ·
·With TO-3P(H)IS package
·Built-in damper diode
·High voltage ,high speed
·Low collector saturation voltage
APPLICATIONS
·For color TV horizontal output applications
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 Base
2 Collector
3 Emitter
Fig.1 simplified outline (TO-3P(H)IS) and symbol
ABSOLUTE

 1.3. 2sd1555.pdf Size:213K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1555
DESCRIPTION
·High Breakdown Voltage-
: V = 1500V (Min)
CBO
·High Switching Speed
·Low Saturation Voltage
·Built-in Damper Diode
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for color TV horizontal output applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAMETER VAL

Другие транзисторы… 2SD1548
, 2SD1549
, 2SD155
, 2SD1550
, 2SD1551
, 2SD1552
, 2SD1553
, 2SD1554
, 2SC1740
, 2SD1556
, 2SD1557
, 2SD1558
, 2SD1559
, 2SD1559A
, 2SD156
, 2SD1562
, 2SD1562A
.

Замена и эквиваленты

Бывает, что вышедший из строя компонент уже не продается. Поэтому радиолюбители подбирают транзистор, который похож по своим техническим характеристикам на неисправный или ищут его аналог. Для поиска аналогов используют информацию из даташит на устройство и приведенные в нем технические характеристики.

Полные аналоги с d1555 по корпусу, его распиновке и техническому описанию, имеют следующие импортные транзисторы: 2SC42943; 2SC4744; BU508D; D1651; D2095; D2195; ECG2331. Можно подобрать  похожий по характеристикам, например d5703, как показано на видео ниже о подборе строчника.

Подходящей замены из отечественных устройств для данного импульсника нет. Некоторые умельцы используют в качестве альтернативы, на отдельных вариантах схем, советский КТ838А. Это очень сомнительное решение, вместе с которым надо учесть отсутствие у этого него защитного диода, резистора и при этом наличие большого металлического корпуса.

2SD1556 Datasheet (PDF)

1.1. 2sd1556.pdf Size:69K _wingshing

NPN TRIPLE DIFFUSED
2SD1556 PLANAR SILICON TRANSISTOR
COLOR TV HORIZONTAL OUTPUT
APPLICATIONS(Damper Diode BUILT IN)
High Collector-Base Voltage(VCBO=1500V) 2-16E3A
High Speed Switching
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25℃
℃)


A
Characteristic Symbol Rating Unit
Collector-Base Voltage VCBO 1500 V
Collector-Emitter Voltage VCEO 1500 V
Emitter-Base voltage VEBO 6 V
Co

1.2. 2sd1556.pdf Size:76K _jmnic

Product Specification www.jmnic.com
Silicon NPN Power Transistors 2SD1556
DESCRIPTION ·
·With TO-3P(H)IS package
·Built-in damper diode
·High voltage ,high speed
·Low collector saturation voltage
APPLICATIONS
·For color TV horizontal output applications
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 Base
2 Collector
3 Emitter
Fig.1 simplified outline (TO-3P(H)IS) and symbol
ABSOLUTE

 1.3. 2sd1556.pdf Size:116K _inchange_semiconductor

Inchange Semiconductor Product Specification
Silicon NPN Power Transistors 2SD1556
DESCRIPTION ·
·With TO-3P(H)IS package
·Built-in damper diode
·High voltage ,high speed
·Low collector saturation voltage
APPLICATIONS
·For color TV horizontal output applications
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 Base
2 Collector
Fig.1 simplified outline (TO-3P(H)IS) and symbol
3 Emitter

Биполярный транзистор 2SD1556 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SD1556

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 165
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8

Корпус транзистора: ISO218

2SD1556
Datasheet (PDF)

1.1. 2sd1556.pdf Size:69K _wingshing

NPN TRIPLE DIFFUSED
2SD1556 PLANAR SILICON TRANSISTOR
COLOR TV HORIZONTAL OUTPUT
APPLICATIONS(Damper Diode BUILT IN)
High Collector-Base Voltage(VCBO=1500V) 2-16E3A
High Speed Switching
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25℃
℃)


A
Characteristic Symbol Rating Unit
Collector-Base Voltage VCBO 1500 V
Collector-Emitter Voltage VCEO 1500 V
Emitter-Base voltage VEBO 6 V
Co

1.2. 2sd1556.pdf Size:76K _jmnic

Product Specification www.jmnic.com
Silicon NPN Power Transistors 2SD1556
DESCRIPTION ·
·With TO-3P(H)IS package
·Built-in damper diode
·High voltage ,high speed
·Low collector saturation voltage
APPLICATIONS
·For color TV horizontal output applications
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 Base
2 Collector
3 Emitter
Fig.1 simplified outline (TO-3P(H)IS) and symbol
ABSOLUTE

 1.3. 2sd1556.pdf Size:116K _inchange_semiconductor

Inchange Semiconductor Product Specification
Silicon NPN Power Transistors 2SD1556
DESCRIPTION ·
·With TO-3P(H)IS package
·Built-in damper diode
·High voltage ,high speed
·Low collector saturation voltage
APPLICATIONS
·For color TV horizontal output applications
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 Base
2 Collector
Fig.1 simplified outline (TO-3P(H)IS) and symbol
3 Emitter

Другие транзисторы… 2SD1549
, 2SD155
, 2SD1550
, 2SD1551
, 2SD1552
, 2SD1553
, 2SD1554
, 2SD1555
, BU508
, 2SD1557
, 2SD1558
, 2SD1559
, 2SD1559A
, 2SD156
, 2SD1562
, 2SD1562A
, 2SD1563
.

Технические характеристики

D882 имеет достаточно хорошие технические параметры. Не много транзисторов, в корпусе TO-126, могут похвастаться возможностью пропускать через себя импульсные токи величиной до 6 А. Рассмотрим другие его максимальные значения предельно допустимых эксплуатационных значений:

  • напряжение между: К-Б — VCBO (Uкб max) до 40 В; К-Е — VCEO (Uкэ max) до 30 В;Э-Б — VEBO (Uэб max) до 6 В;
  • коллекторный ток: постоянный IC (Iк max) = 3 А; переменный, при tP < 5ms — ICM (Iки max) до 6 А;
  • ток базы IB (IБ max) = 3 А до 1 А;
  • мощность рассеиваемая на коллекторе РСк max) до 1.25 Вт;
  • тепловое сопротивление перехода Rthj-case —  10 ° C/Вт;
  • диапазон температур хранения и использования Tstg = -55 … 150 оС;
  • температура кристалла TJ до 150 оС.

Электрические параметры

Электрические параметры D882 тоже неплохие. Они представлены в даташит в виде отдельной таблицы с дополнительными условиями их измерений. Температуре окружающей среды, при этом, составляет не более 25 оС.

Коэффициента усиления по току

В зависимости от коэффициента передачи тока (hFE) транзистор D882 делятся на четыре группы по буквам: R (маленькое) – от 60 до 120; О (среднее) от 100 до 200; Y (высокое)– от 160 до 320; GR (самое большое) от 200 до 400.

Влияние радиатора

Стоит учитывать сильный нагрев D882 при использовании в предельно допустимых режимах, которые могут привести к выходу его из строя. Вероятности такого исхода очень высока, поэтому не рекомендуется длительная эксплуатация устройства на максимальных значениях.

Большое значение, в повышении надежности и уменьшении нагрева транзистора при работе, имеет его система охлаждения. Ниже приведен график зависимости рассеиваемой мощности (по горизонтали) от температуры окружающей среды (по вертикали). При тестировании изготовитель использует алюминиевый радиатор толщиной 10 мм.

Как видно из графика, при температуре вокруг корпуса выше +25ОС рассеиваемая мощность D882 начинает понижаться, а при +150ОС падает до ноля. На рисунке наглядно показана положительная роль использования радиатора для подобных электронных устройств.

2SD1554 Datasheet (PDF)

1.1. 2sd1554.pdf Size:29K _wingshing

NPN TRIPLE DIFFUSED
2SD1554 PLANAR SILICON TRANSISTOR
COLOR TV HORIZONTAL OUTPUT
APPLICATIONS(Damper Diode BUILT IN)
High Collector-Base Voltage(VCBO=1500V) 2-16E3A
High Speed Switching
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25oC)
A
Characteristic Symbol Rating Unit
Collector-Base Voltage VCBO 1500 V
Collector-Emitter Voltage VCEO 1500 V
Emitter-Base voltage VEBO 6 V
Collector Current

1.2. 2sd1554.pdf Size:78K _jmnic

Product Specification www.jmnic.com
Silicon NPN Power Transistors 2SD1554
DESCRIPTION ·
·With TO-3P(H)IS package
·Built-in damper diode
·High voltage ,high speed
·Low collector saturation voltage
APPLICATIONS
·For color TV horizontal output applications
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 Base
2 Collector
3 Emitter
Fig.1 simplified outline (TO-3P(H)IS) and symbol
ABSOLUTE

 1.3. 2sd1554.pdf Size:214K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1554
DESCRIPTION
·High Breakdown Voltage-
: V = 1500V (Min)
CBO
·High Switching Speed
·Low Saturation Voltage
·Built-in Damper Diode
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for color TV horizontal output applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAMETER VAL

Биполярный транзистор 2SD1564 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SD1564

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8000

Корпус транзистора: TO220

2SD1564
Datasheet (PDF)

1.1. 2sd1564.pdf Size:57K _no



1.2. 2sd1564.pdf Size:210K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD1564
DESCRIPTION
·Low Collector-Emitter Saturation Voltage-
: V = 1.5V(Max) @I = 2A
CE(sat) C
·High DC Current Gain
: h = 2000(Min) @I = 2A
FE C
·Low Saturation Voltage
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for audi

 4.1. 2sd1565.pdf Size:106K _st

SD1565
RF & MICROWAVE TRANSISTORS
UHF PULSED APPLICATIONS
.500 WATTS @ 250µSec PULSE WIDTH,
10% DUTY CYCLE
.REFRACTORY GOLD METALLIZATION
.EMITTER BALLASTING AND LOW
RESISTANCE FOR RELIABILITY AND
RUGGEDNESS
.INFINITE VSWR CAPABILITY AT
.400 x .500 4LFL (M102)
SPECIFIED OPERATING CONDITIONS
hermetically sealed
.INPUT MATCHED, COMMON BASE
ORDER CODE BRANDING
CONFIGURATION
SD1565

4.2. 2sd1563a.pdf Size:47K _rohm



 4.3. 2sd1562a.pdf Size:48K _rohm



4.4. 2sd1565.pdf Size:210K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD1565
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = 100V(Min)
(BR)CEO
·High DC Current Gain-
: h = 2000(Min)@ (V = 2V, I = 2A)
FE CE C
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for low frequency power amplifiers and low speed
switching applications.
ABSOLUTE

 4.5. 2sd1563a.pdf Size:212K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1563A
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = 160V (Min)
(BR)CEO
·Wide Area of Safe Operation
·Complement to Type 2SB1086A
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for low frequency power amplifier applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAM

4.6. 2sd1563.pdf Size:212K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1563
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = 120V (Min)
(BR)CEO
·Wide Area of Safe Operation
·Complement to Type 2SB1086
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for low frequency power amplifier applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAMET

4.7. 2sd1562 2sd1562a.pdf Size:126K _inchange_semiconductor

Inchange Semiconductor Product Specification
Silicon NPN Power Transistors 2SD1562 2SD1562A
DESCRIPTION ·
·With TO-220C package
·Complement to type 2SB1085/1085A
·High transition frequency
APPLICATIONS
·For low freuqency power amplifier
applications
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 Base
Collector;connected to
2
mounting base
3 Emitter
Absolute maximum ratings(Tc=25℃

4.8. 2sd1562.pdf Size:213K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1562
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = 120V (Min)
(BR)CEO
·Wide Area of Safe Operation
·Complement to Type 2SB1085
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for low frequency power amplifier applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAMET

4.9. 2sd1566.pdf Size:199K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD1566
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = 100V(Min)
(BR)CEO
·Collector-Emitter Saturation Voltage-
: V = 1.5V(Max) @I = 10A
CE(sat) C
·Fast Switching Speed
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for high current switching

Другие транзисторы… 2SD1557
, 2SD1558
, 2SD1559
, 2SD1559A
, 2SD156
, 2SD1562
, 2SD1562A
, 2SD1563
, BC556
, 2SD1565
, 2SD1566
, 2SD1567
, 2SD1568
, 2SD1569
, 2SD157
, 2SD1571
, 2SD1572
.

2SD1564 Datasheet (PDF)

1.1. 2sd1564.pdf Size:57K _no



1.2. 2sd1564.pdf Size:210K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD1564
DESCRIPTION
·Low Collector-Emitter Saturation Voltage-
: V = 1.5V(Max) @I = 2A
CE(sat) C
·High DC Current Gain
: h = 2000(Min) @I = 2A
FE C
·Low Saturation Voltage
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for audi

 4.1. 2sd1565.pdf Size:106K _st

SD1565
RF & MICROWAVE TRANSISTORS
UHF PULSED APPLICATIONS
.500 WATTS @ 250µSec PULSE WIDTH,
10% DUTY CYCLE
.REFRACTORY GOLD METALLIZATION
.EMITTER BALLASTING AND LOW
RESISTANCE FOR RELIABILITY AND
RUGGEDNESS
.INFINITE VSWR CAPABILITY AT
.400 x .500 4LFL (M102)
SPECIFIED OPERATING CONDITIONS
hermetically sealed
.INPUT MATCHED, COMMON BASE
ORDER CODE BRANDING
CONFIGURATION
SD1565

4.2. 2sd1563a.pdf Size:47K _rohm



 4.3. 2sd1562a.pdf Size:48K _rohm



4.4. 2sd1565.pdf Size:210K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD1565
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = 100V(Min)
(BR)CEO
·High DC Current Gain-
: h = 2000(Min)@ (V = 2V, I = 2A)
FE CE C
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for low frequency power amplifiers and low speed
switching applications.
ABSOLUTE

 4.5. 2sd1563a.pdf Size:212K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1563A
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = 160V (Min)
(BR)CEO
·Wide Area of Safe Operation
·Complement to Type 2SB1086A
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for low frequency power amplifier applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAM

4.6. 2sd1563.pdf Size:212K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1563
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = 120V (Min)
(BR)CEO
·Wide Area of Safe Operation
·Complement to Type 2SB1086
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for low frequency power amplifier applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAMET

4.7. 2sd1562 2sd1562a.pdf Size:126K _inchange_semiconductor

Inchange Semiconductor Product Specification
Silicon NPN Power Transistors 2SD1562 2SD1562A
DESCRIPTION ·
·With TO-220C package
·Complement to type 2SB1085/1085A
·High transition frequency
APPLICATIONS
·For low freuqency power amplifier
applications
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 Base
Collector;connected to
2
mounting base
3 Emitter
Absolute maximum ratings(Tc=25℃

4.8. 2sd1562.pdf Size:213K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1562
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = 120V (Min)
(BR)CEO
·Wide Area of Safe Operation
·Complement to Type 2SB1085
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for low frequency power amplifier applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAMET

4.9. 2sd1566.pdf Size:199K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD1566
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = 100V(Min)
(BR)CEO
·Collector-Emitter Saturation Voltage-
: V = 1.5V(Max) @I = 10A
CE(sat) C
·Fast Switching Speed
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for high current switching

Результаты подбора транзистора (поиска аналога)

Type Mat Struct Pc Ucb Ic Tj Ft Hfe Caps
2SC2364 Si NPN 80 200 5 175  40 TO218
2SC2581 Si NPN 100 200 10 150 10 80 TO218
2SC2723 Si NPN 150 450 15 150 30 150 TO218
2SC2944 Si NPN 100 250 15 150  40 TO218
2SC3032 Si NPN 80 900 7 175  150 TO218
2SC3040 Si NPN 80 500 8 150  40 TO218
2SC3054 Si NPN 100 500 20 150  350 TO218
2SC3083 Si NPN 60 500 6 150  55 TO218
2SC3088 Si NPN 60 800 4 175  60 TO218
2SC3089 Si NPN 80 800 7 175  60 TO218
2SC3285 Si NPN 80 1000 4 175  45 TO218
2SC3318 Si NPN 80 500 10 150  45 TO218
2SC3387 Si NPN 50 1200 5 150  50 TO218
2SC3403 Si NPN 25 500 2 150  65 TO218
2SC3409 Si NPN 80 900 2 175  45 TO218
2SC3505 Si NPN 80 900 6 150  60 TO218
2SC3682 Si NPN 120 1500 7 200  80 TO218
2SC3683 Si NPN 150 1500 8 200  70 TO218
2SC3685 Si NPN 120 1500 6 150  60 TO218
2SC3686 Si NPN 120 1500 7 150  60 TO218
2SC3715 Si NPN 50 1500 4 150  50 TO218
2SC3758 Si NPN 70 500 10 150  40 TO218
2SC3759 Si NPN 75 500 45 150  60 TO218
2SC3760 Si NPN 60 500 10 150  100 TO218
2SC3761 Si NPN 75 500 15 150  160 TO218
2SC3813 Si NPN 150 300 7 175 10 40 TO218
2SC3842 Si NPN 70 600 10 150 32 55 TO218
2SC3843 Si NPN 75 600 10 150 28 60 TO218
2SC3844 Si NPN 75 600 15 150 30 60 TO218
2SC3847 Si NPN 85 1200 10 150 15 100 TO218
2SC3855 Si NPN 100 200 10 150 20 100 TO218
2SC3869 Si NPN 35 500 5 150  40 TO218
2SC3909 Si NPN 100 900 5 200  40 TO218
2SC3910 Si NPN 150 900 15 150  80 TO218
2SC3927 Si NPN 120 900 10 175  50 TO218
2SC3962 Si NPN 40 500 5 150  40 TO218
2SC3979 Si NPN 40 1000 3 150  90 TO218
2SC3980 Si NPN 70 1000 4 150  45 TO218
2SC3981 Si NPN 80 1000 5 150  45 TO218
2SC4023 Si NPN 150 1500 10 150  70 TO218
2SC4073 Si NPN 30 500 5 150  200 TO218
2SC4123 Si NPN 60 1500 7 175  70 TO218
2SC4138 Si NPN 80 500 10 150  45 TO218
2SC4139 Si NPN 120 500 15 150  45 TO218
2SC4143 Si NPN 50 1500 5 150  160 TO218
2SC4144 Si NPN 50 1300 8 150  200 TO218
2SC4191 Si NPN 20 500 2 200  50 TO218
2SC4192 Si NPN 30 500 3 200  50 TO218
2SC4193 Si NPN 40 500 5 200  50 TO218
2SC4194 Si NPN 50 500 7 150  45 TO218
2SC4219 Si NPN 40 500 4 175  50 TO218
2SC4220 Si NPN 50 500 7 150  50 TO218
2SC4221 Si NPN 40 800 3 150  50 TO218
2SC4222 Si NPN 50 800 5 150  50 TO218
2SC4224 Si NPN 50 1100 3 150  40 TO218
2SC4275 Si NPN 80 500 10 150  120 TO218
2SC4277 Si NPN 80 500 5 150  60 TO218
2SC4298 Si NPN 80 500 15 150  55 TO218
2SC4299 Si NPN 70 900 3 150  40 TO218
2SC4300 Si NPN 75 900 5 150  40 TO218
2SC4303 Si NPN 80 1400 6 150  90 TO218
2SC4303A Si NPN 80 1500 6 150  45 TO218
2SC4427 Si NPN 50 1100 4.5 175 15 200 TO218
2SC4428 Si NPN 55 1100 6 150 15 200 TO218
2SC4429 Si NPN 60 1100 8 150 15 350 TO218
2SC4430 Si NPN 65 1100 12 150 15 200 TO218
2SC4434 Si NPN 120 500 15 150  350 TO218
2SC4435 Si NPN 100 1500 5 150  70 TO218
2SC4437 Si NPN 50 1500 5 200  120 TO218
2SC4438 Si NPN 50 1500 5 200  200 TO218
2SC4597 Si NPN 40 500 4 150 20 70 TO218
2SC4598 Si NPN 50 500 7 150 20 70 TO218
2SC4599 Si NPN 40 800 3 150 18 120 TO218
2SC4600 Si NPN 50 800 5 150 18 200 TO218
2SC4602 Si NPN 50 1100 3 150 15 350 TO218
2SD1336 Si NPN 40 200 6 150  3000 TO218
2SD1336A Si NPN 40 250 6 150  3000 TO218
2SD1461 Si NPN 80 430 5 150  1000 TO218
2SD1466 Si NPN 100 500 15 150  200 TO218
2SD1479 Si NPN 80 1500 2 150  280 TO218
2SD1503 Si NPN 50 900 6 150  45 TO218
2SD1534 Si NPN 45 500 7 150  1200 TO218
2SD1557 Si NPN 20 200 2 150 10 40 TO218
2SD1611 Si NPN 40 500 6 150  33000 TO218
2SD1673 Si NPN 70 500 10 150  600 TO218
2SD1908 Si NPN 50 330 7 150  45 TO218
2SD930 Si NPN 30 200 5 150  5000 TO218
BU931P Si NPN 135 500 15 175  80 TO218
BU941P Si NPN 155 500 15 175  300 TO218
BU941ZP Si NPN 155 350 15 175  300 TO218
ECG2307 Si NPN 80 200 5 175  500 TO218
ECG2316 Si NPN 105  10 150  100 TO218
ECG2317 Si NPN 105  15 150  40 TO218
ECG256 Si NPN 150  10 150  50 TO218
ECG270 Si NPN 125  10 150  100 TO218
MJH10012 Si NPN 118 550 10 150  300 TO218
NTE2316 Si NPN 120 500 10   130 TO218
NTE2317 Si NPN 150 500 15   300 TO218
TIP160 Si NPN 50 320 10 150  200 TO218
TIP161 Si NPN 50 350 10 150  200 TO218
TIP162 Si NPN 50 380 10 200  200 TO218

Всего результатов: 101

NTE1557 Datasheet Download — NTE

Номер произвNTE1557
ОписаниеIntegrated Circuit FM/AM IF System
ПроизводителиNTE
логотип 
1Page

No Preview Available !

NTE1557
Integrated Circuit
FM/AM IF System
Description:
The NTE1557 is a monolithic integrated circuit in a 16–Lead DIP type package developed for the radio
cassette tape recorder included AM/FM IF amplifier and detector.
Functions:

D AM Section:

IF Amplifier with AGC Detector

D Voltage Regulator for RF External Circuit

D FM Section:

IF Amplifier
Quadrature Detector
Post Amplifier
Signal Meter Driver Circuit
Features:

D Suitable for Radio Cassette and Home Stereo

D Wide Operating Supply Voltage Range (3.0V to 14V)

D Low Quiescent Circuit Current

D AM Section

D Simplified Input Circuit IFT (Ceramic Filter Type)

RF AGC Available

D FM Section:

High Limiting Sensitivity (33dBµ, Typ)

Low Residual Noise (45dB at Vi = –10dBµ)

Small Side Peak of Detuned Output Voltage

Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)

Supply Voltage, VCC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16V

Power Dissipation, PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600mW

Operating Temperature Range, Topr . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –20° to +70°C

Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +125°C

No Preview Available !

Electrical Characteristics: (TA = +25°C, VCC = 5.5V, unless otherwise specified)

Parameter
Symbol
Test Conditions
Min Typ Max Unit

FM Section (f = 10.7MHz, fm = 1kHz, ∆f = ±75kHz)

Quiescent Circuit Current

ICC Vi = 0

Input Limiting Sensitivity

Vi(lim) VO (Vi = 100dBµ) –3dB

Detector Output Voltage

VO VI = 100dBµ

Total Harmonic Distortion

THD Vi = 100dBµ

AM Rejection Ratio

AMR Vi = 100dBµ

Signal to Noise Ratio

S/N Vi = 100dBµ

Signal Meter Output

VM Vi = 100dBµ

Residual Noise

VN VO (AF) (Vi = 100dBµ)

Muting Attenuation

M(att) VI = 37dBµ, Mute SW on

AM Section (f = 455kHz, fm = 1kHz, 30% Mod)

7 11 16.5 mA

– 33 38 dBµ

180 245 310 mV

– 0.3 1.0 %

50 60 – dB

72 83 – dB

1.05 1.5 2.05 V

– 45 – dB

– 35 – dB

Quiescent Circuit Current
Maximum Sensitivity
Detector Output Voltage
Total Harmonic Distortion
Signal to Noise Ratio
Signal Meter Output
Input Impedance (Pin 16)

ICC

Vi(sen)

Vo

THD
S/N

VM

Ri

Vi = 0

VO (AF) = 10mV

Vi = 74dBµ

Vi = 74dBµ

Vi = 100dB

Vi = 74dBµ

VI = 100dBµ

Pin 16 0.8–0.9VDC

– 8 – mA

– 29 – dBµ

45 65 85 mV

– 0.3 2.0 %

– 0.7 3.5 %

45 55 – dBµ

1.2 1.4 1.6 V

1.45 2.12 2.8 kΩ

Pin Connection Diagram

1st IF Amp Input (FM) 1

1st IF Decouple (FM) 2

VCC (FM) 3

1st IF Amp Output (FM) 4

GND 5

2nd IF Amp Input (FM) 6

Voltage Regulator 7

Phase Shifter (FM) 8

16 1st IF Amp Input (AM)

15 AGC Decouple

14 2nd IF Amp Input (AM)

13 GND

12 Detector Output

11 VCC

10 Center Meter

9 FM Output

No Preview Available !

16 9
18
.870 (22.0) Max
.200
(5.08)
Max
.260 (6.6)
Max
.100 (2.54)
.700 (17.78)
.099 (2.5) Min

Всего страниц3 Pages
Скачать PDF

Связанные материалы

Простой Hi-Fi УМЗЧ на микросхеме ТА8216Н…
Здравствуйте, уважаемые жители Датагории! Закончил очередную конструкцию усилителя мощности…

Простой ламповый стереоусилитель 6Н2П+6П14 в корпусе усилителя «Радиотехника У-101″…
Первым удачным ламповым опытом в моей радиолюбительской жизни стал этот усилитель на лампах…

Усилитель TL082 + UTC2030 с виртуальной массой…
Идея приготовить самодельный усилитель из того, что имеется под рукой родилась неожиданно, когда…

Ламповый усилитель SRPP на 6Н23П для наушников в корпусе от внешнего HDD…
Сидели, как то с друзьями и слушали музыку, один друг и говорит: «А как будет звучать ламповый…

Гибридный усилитель для наушников: лампа 6AQ8 (6Н23П) + IRF540…
Приветствую вас, уважаемые датагорцы! Представляю вашему вниманию гибридный усилитель для наушников…

Еще один усилитель на TDA7294…
Вот однажды решил сделать себе Hi-Fi усилитель, долго думал, на чём собрать, остановился на TDA…

Простой винил-корректор для проигрывателя «Арктур-006-стерео» по схеме А. Бокарёва…
Случайно в мои руки попал проигрыватель пластинок «Арктур-006-стерео». Поэтому появилась острая…

Эффект «Shark Tube Distortion» для электрогитары…
Споры между теми, кто почитает устои лампостроения, уверовав в необходимость высокого анодного…

Замена БП «польской» TV-антены на питание от +12V телевизора…
Всем привет, очень редко пишу, но вот решился

Решил я описать свой опыт, может кому пригодится….

Гитарный преамп Bogner Sharp на лампах 6Ф1П…
Внимание! Статья не претендует на научность, и скорее повествует о том, как собирают (и как лучше…

Мой первый усилитель на TDA2050 с ИБП…
Здравствуйте, дрУги! Заранее прошу прощения за качество иллюстраций. Итак всё началось с попытки…

О монтаже сигнальных цепей в ламповом усилителе

Борьба с фоном, заземление…
ГЕННАДИЙ СЕМЕНОВИЧ ГЕНДИН, «ВЫСОКОКАЧЕСТВЕННЫЕ ЛАМПОВЫЕ УСИЛИТЕЛИ ЗВУКОВОЙ ЧАСТОТЫ» От правильности…

Проверка работоспособности

Вопрос о том, как проверить строчный транзистор d2499 мультиметром и определить его исправность встречается очень часто. На практике его тестируют стандартным способом, как обычный биполяник, но при этом есть свои нюансы. Рассмотрим их подробнее, они характерны для большинства подобных устройств.

Так как структура нашего строчника NPN, то для начала необходимо установить мультиметр в режим «прозвонки диодов». Отрицательный щуп (черный) ставим на вывод Б, а положительным (красным) соединяем с контактом К. На тестере, при этом, должно появится небольшое падение напряжения. При смене полярности будет отображаться цифра «1», КЗ быть не должно.

Далее надо проверить переход Б-Э. Ставим красный щуп на контакт Э, черный остаётся на Б. Так как между выводами Б и Э стоит резистор, то мультиметр будет пищать, сигнализируя прохождение тока. Необходимо проверить сопротивление на этом участке, оно должно быть в пределах от 40 до 50 Ом.

Между выводов К-Э установлен демпферный диод и это надо учитывать. В режиме «прозвонки диодов» на тестере отображается падение напряжения. Сопротивление между этими контактами транзистора замеряется на пределе до 200 мОм. У оригинального 2SD2499 оно составляет более 150 мОм. И чем выше это значение, тем лучше.

Пример проверки похожих строчных транзисторов можно посмотреть в видеоролике.

2SD1555 Datasheet (PDF)

1.1. 2sd1555.pdf Size:29K _wingshing

NPN TRIPLE DIFFUSED
2SD1555 PLANAR SILICON TRANSISTOR
COLOR TV HORIZONTAL OUTPUT
APPLICATIONS(Damper Diode BUILT IN)
High Collector-Base Voltage(VCBO=1500V) 2-16E3A
High Speed Switching
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25oC)
A
Characteristic Symbol Rating Unit
Collector-Base Voltage VCBO 1500 V
Collector-Emitter Voltage VCEO 1500 V
Emitter-Base voltage VEBO 6 V
Collector Current

1.2. 2sd1555.pdf Size:77K _jmnic

Product Specification www.jmnic.com
Silicon NPN Power Transistors 2SD1555
DESCRIPTION ·
·With TO-3P(H)IS package
·Built-in damper diode
·High voltage ,high speed
·Low collector saturation voltage
APPLICATIONS
·For color TV horizontal output applications
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 Base
2 Collector
3 Emitter
Fig.1 simplified outline (TO-3P(H)IS) and symbol
ABSOLUTE

 1.3. 2sd1555.pdf Size:213K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1555
DESCRIPTION
·High Breakdown Voltage-
: V = 1500V (Min)
CBO
·High Switching Speed
·Low Saturation Voltage
·Built-in Damper Diode
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for color TV horizontal output applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAMETER VAL

Рейтинг автора
5
Материал подготовил
Максим Иванов
Наш эксперт
Написано статей
129
Ссылка на основную публикацию
Похожие публикации