Андрей Смирнов
Время чтения: ~22 мин.
Просмотров: 0

Транзистор 13009 (mje13009)

Распиновка

Цоколевка 13003 у большинства производителей выполняется в пластиковым корпусом ТО-126. У компании STMicroelectronics (STM) этот корпус называется SOT-32. Фирменный MJE13003 у компании Motorola имел пластиковый корпус — ТО-225A. Это тот же, немного улучшенный ТО-126, согласно системы стандартизации полупроводниковых приборов Jedec. Три гибких вывода из корпуса ТО-126, если смотреть на маркировку, имеют следующее назначение: самый левый контакт – база; посередине – коллектор; крайний справа – эмиттер.

В статье рассмотрено назначение выводов, встречающееся у большинства производителей, однако бывает и другая – нетипичная распиновка 13003 в ТО-126. У той же STM, если смотреть на прибор как описано выше, эмиттер будет слева, база справа, а коллектор посередине. Аналогичная цоколевка у KSE13003 (Fairchild Semiconductor). Очень редко, но встречаются приборы в корпусе ТО-220. Для наглядности просмотрите рисунок с цоколевкой от разных компаний.

Transistor 13002 Transistortransistor13002switching Transistor TBLS/BOLINSHENG TO-92L TRANSISTOR SERIES 13002 PLUG-IN SWITCHING TRANSISTOR


US $0.10-$0.10

/ Piece

1000 Pieces (Min. Order)

1 YR

Shenzhen Bolinsheng Semiconductor Co., Ltd.

Contact Supplier

SBN13002 Datasheet (PDF)

1.1. sbn13002d.pdf Size:273K _winsemi

SBN13002D
SBN13002D
SBN13002D
SBN13002D
HighVoltageFast-SwitchingNPNPowerTransistor
Features
symbol
symbol
symbol
symbol
2.Collector
■ Very High Switching Speed
■ High Voltage Capability
1.Base
■ Wide Reverse Bias SOA
3.Emitter
■ Built -in freewheeling diode
General Description
This Device is designed for high voltage, high speed
switching characteristics required suc

1.2. sbn13002.pdf Size:170K _semiwell

SemiWell Semiconductor
SBN13002
High Voltage Fast-Switching
NPN Power Transistor
Features
◆ High Voltage
◆ High Speed switching
General Description
TO-92
This device is designed high voltage and high speed
switching characteristic required to lighting system, switching
Regulator and inverter motor controls.
Absolute Maximum Ratings (TJ = 25℃ unless otherwise specif

 3.1. sbn13003a.pdf Size:273K _winsemi

SBN13002D
SBN13002D
SBN13002D
SBN13002D
HighVoltageFast-SwitchingNPNPowerTransistor
Features
symbol
symbol
symbol
symbol
2.Collector
■ Very High Switching Speed
■ High Voltage Capability
1.Base
■ Wide Reverse Bias SOA
3.Emitter
■ Built -in freewheeling diode
General Description
This Device is designed for high voltage, high speed
switching characteristics required suc

3.2. sbn13001.pdf Size:323K _winsemi

SBN13001
SBN13001
SBN13001
SBN13001
High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor
Features
� Very High Switching Speed
� High Voltage Capability
� Wide Reverse Bias SOA
General Description
This Device is designed for high voltage, High speed
switching characteristics required such as lighting
system, switching mode power supply.
Absolute Maximum Ratings
Symbol Parameter T

 3.3. sbn13003hb.pdf Size:147K _winsemi

SBN13003HB
High Voltage Fast–Switching NPN Power Transistor
Features
Very High Switching Speed
■ High Voltage Capability
■ Wide Reverse Bias SOA
General Description
This Device is designed for high voltage , High speed
Switching characteristics required such as lighting
system, switching mode power supply.
Absolute Maximum Ratings
Symbol Parameter Test Conditions Value

3.4. sbn13003a1.pdf Size:406K _winsemi

SBN13003A1
SBN13003A1
SBN13003A1
SBN13003A1
High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor
Features
� Very High Switching Speed
� High Voltage Capability
� Wide Reverse Bias SOA
General Description
This Device is designed for high voltage , High speed
switching Characteristics required such as lighting
system,switching mode power supply.
Absolute Maximum Ratings
Symbol Par

Купить в магазине: САМОВЫВОЗ ИЗ МАГАЗИНА БЕСПЛАТНО

Технические характеристики транзистора MJE13009

При температуре окружающей среды +25 °C, если не указано иного, имеет такие параметры:

физические:

  • биполярный транзистор;
  • корпус ТО-220, ТО-3PN;
  • материал корпуса  – пластик;
  • кристалл — кремний (Si);

электрические (допустимые):

  • проводимость – NPN;
  • UКЭ макс (VCEmax) до 400 В (V);
  • UКЭВ (VCEV) 700 В (V), при UБЭ(VBE) = -1.5 В (V);
  • UЭБ макс (VЕВ max) до 9 В (V);
  • IK(IC) 12 А, IK макс (ICmax) до 24 А;
  • IБ. (IB) 6А, импульсный пиковый IБ пик. (IBmax) до 12 А, при tp≤10 мc (ms);
  • IЭ (IE) 18А, импульсный пиковый  IЭ пик. (IEmax) до 36 А, при tp≤10 мc (ms);
  • P (Ptod)= 100 Вт (W), при Tc ≤ 25°C и использовании радиатора;
  • FГр мин.(ftMIN) 4 МГц (MHz), при U КЭ  (VCE ) =10 В (V), IK (Ic )= 0,5 А;
  • UКЭ.раб.(VCEOsus) 400 В (V), при IC (IК) = 10 мA(mA), IБ (IB)=  0;
  • IКЭВ (ICEV) 1 мА (mA) при UКЭВ(VCEV) = 700 В (V), до 5 мА (mA) при повышении Tраб (Tamb) до 150 °C;
  • IЭБО (I EBO) ≤1 мА (mA), при U EБ (VEB ) = 9 В (V) и IК (IС)=0);
  • выходная емкость C22б (Cob) = 180 пФ (pF);

напряжение насыщения между коллектором и эмиттером UКЭ нас. (VBEsat):

напряжение насыщения между базой и эммитером UБЭ нас. (VBE sat):

коммутационные характеристики (при UКЭ =120 В, IK =8 A, IБ вкл=1.6А, IБ выкл.= -1.6А):

  • время задержки tзад (td) = 0.1 мкс (µs);
  • время включения tвкл (ton) = 1.1 мкс (µs);
  • время спада tсп (tf)  = 0.7 мкс (µs);
  • время рассасывания tРАС (ts) = 3 мкс (µs);

тепловые:

  • Тепловое сопротивление перехода кристалла к корпусу RθJC = 1.26 °C/W (°C/Вт);
  • Тепловое сопротивление корпуса к окружающей среде RθCA= 62.5 °C/W (°C/Вт);
  • Общее тепловое сопротивление RθJA= 100 °C/W (°C/Вт);
  • Tперехода(Tj) ≤ + 150 °C;
  • Tхран.(Tstr) от — 65 до + 150 °C;
  • Tраб.(Tamb) от — 65 до + 150 °C;
  • Tпайки (TL) до 275 °C.

коэффициент усиления по току у транзистора 13009  находится в пределах от 8 до 40 Hfe.

Параметры 13009 у различных производителей незначительно отличаются.

MJE13002F1 Datasheet (PDF)

1.1. mje13002f1.pdf Size:407K _blue-rocket-elect

MJE13002F1(BR3DD13002F1K)
Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET
描述 / Descriptions
TO-92 塑封封装 NPN 半导体三极管。Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package.
特征 / Features
耐压高,快速转换。
High Voltage Capability High Speed Switching.
用途 / Applications
主要用于节能灯、日光灯电子镇流器及其它开关、振荡电路。
High frequenc

1.2. mje13002f6.pdf Size:197K _foshan

MJE13002F6(3DD13002F6) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR
用途:主要用于节能灯、日光灯电子镇流器及其它开关、振荡电路。
Purpose: High frequency electronic lighting ballast applications,converters, inverters,
switching regulators, etc.
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数符号 数值 单位
Symbol Rating Unit
V 600 V

 1.3. mje13002f5.pdf Size:199K _foshan

MJE13002F5(3DD13002F5) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR
用途:主要用于节能灯、日光灯电子镇流器及其它开关、振荡电路。
Purpose: High frequency electronic lighting ballast applications,converters, inverters,
switching regulators, etc.
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数符号 数值 单位
Symbol Rating Unit
V 600 V

1.4. mje13002f2.pdf Size:193K _foshan

MJE13002F2(3DD13002F2) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR
用途:主要用于节能灯、日光灯电子镇流器及其它开关、振荡电路。
Purpose: High frequency electronic lighting ballast applications,converters, inverters,
switching regulators, etc.
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数符号 数值 单位
Symbol Rating Unit
V 600 V

MJE13002I6 Datasheet (PDF)

1.1. mje13002i6.pdf Size:209K _foshan

MJE13002I6(3DD13002I6) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR
用途: 主要用于节能灯、日光灯电子镇流器及其它开关、振荡电路。
Purpose: High frequency electronic lighting ballast applications,converters, inverters,
switching regulators, etc.
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数符号 数值 单位
Symbol Rating Unit
V 600 V

1.2. mje13002i7.pdf Size:216K _foshan

MJE13002I7(3DD13002I7) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR
用途: 主要用于节能灯、日光灯电子镇流器及其它开关、振荡电路。
Purpose: High frequency electronic lighting ballast applications,converters, inverters,
switching regulators, etc.
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数符号 数值 单位
Symbol Rating Unit
V 600 V

 1.3. mje13002i5.pdf Size:208K _foshan

MJE13002I5(3DD13002I5) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR
用途: 主要用于节能灯、日光灯电子镇流器及其它开关、振荡电路。
Purpose: High frequency electronic lighting ballast applications,converters, inverters,
switching regulators, etc.
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数符号 数值 单位
Symbol Rating Unit
V 600 V

Related Datasheets

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
MJE13001TransistorsSI Semiconductors
MJE13001NPN Epitaxial Silicon TransistorUnisonic Technologies
MJE13001-QNPN SILICON TRANSISTORUnisonic Technologies
MJE13001AHTRANSISTORSSI Semiconductors
Номер в каталогеОписаниеПроизводители
6MBP200RA-060

Intelligent Power Module

Fuji Electric
ADF41020

18 GHz Microwave PLL Synthesizer

Analog Devices
AN-SY6280

Low Loss Power Distribution Switch

Silergy
DataSheet26.com    |    2020    |   Контакты    |    Поиск  

Биполярный транзистор CD13002 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: CD13002

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15

Корпус транзистора: TO-92

CD13002
Datasheet (PDF)

1.1. cd13002 tcd13002.pdf Size:349K _cdil

Continental Device India Limited
An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company
NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL, HIGH VOLTAGE CD13002
FAST SWITCHING POWER TRANSISTOR TCD13002 (Tin Lead Part)
LEAD FREE
TO-92
Plastic Package
B
C
E
Compact Fluorescent Lamps (CFLS)
ABSOLUTE MAXIMUM RATING (Ta =25ºC )
DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT
Collector Base Voltage VCBO 600 V
Collector E

4.1. fcd1300n80z.pdf Size:880K _fairchild_semi

August 2014
FCD1300N80Z
N-Channel SuperFET II MOSFET
800 V, 4 A, 1.3 
Features Description
• RDS(on) = 1.05 Typ.) SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductor’s brand-new
high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing
• Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 16.2 nC)
charge balance technology for outstanding low on-resistance
• Low Eoss (Typ. 1.5

4.2. cd13001.pdf Size:352K _cdil

Continental Device India Limited
An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company
NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR CD13001
TO — 92
Plastic Package
ABSOLUTE MAXIMUM RATING (Ta =25ºC )
DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT
VCBO
Collector Base Voltage 500 V
VCEO
Collector Emitter Voltage 400 V
VEBO
Emitter Base Voltage 9.0 V
IC
Collector Current Continuous 0.5 A
ICM
Peak

 4.3. cd13003.pdf Size:289K _cdil

Continental Device India Limited
An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company
NPN SILICON POWER TRANSISTOR CD13003
TO126
Plastic Package
Applications
Suitable for Lighting, Switching Regulator and Motor Control
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT
VCBO
Collector Base Voltage 600 V
VCEO
Collector Emitter (sus) Voltage 400 V
Emitter Base Voltage VEBO 9

4.4. cd13005.pdf Size:259K _cdil

Continental Device India Limited
An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company
NPN SILICON POWER TRANSISTOR CD13005
TO-220
Plastic Package
Applications
Suitable for Lighting, Switching Regulator and Motor Control
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT
VCBO
Collector -Base Voltage 600 V
VCEO
Collector -Emitter (sus) Voltage 400 V
Emitter Base Voltage VEBO

 4.5. cd13003d.pdf Size:288K _cdil

Continental Device India Limited
An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company
NPN SILICON POWER TRANSISTOR CD13003D
TO126
Plastic Package
With Built — in Integrated Diode between Emitter & Collector
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT
Collector Base Voltage VCBO 600 V
Collector Emitter (sus) Voltage VCEO 400 V
Emitter Base Voltage VEBO 9.0 V
Collector

Другие транзисторы… 2SC4355
, 2SC4356
, 2SC4357
, 2SC4358
, 2SC4359
, 2SC436
, 2SC4360
, 2SC4361
, BD139
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, 2SC4368
, 2SC4369
, 2SC437
.

Биполярный транзистор MJE13002F1 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: MJE13002F1

Маркировка: BR13002F1

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10

Корпус транзистора: TO92

MJE13002F1
Datasheet (PDF)

1.1. mje13002f1.pdf Size:407K _blue-rocket-elect

MJE13002F1(BR3DD13002F1K)
Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET
描述 / Descriptions
TO-92 塑封封装 NPN 半导体三极管。Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package.
特征 / Features
耐压高,快速转换。
High Voltage Capability High Speed Switching.
用途 / Applications
主要用于节能灯、日光灯电子镇流器及其它开关、振荡电路。
High frequenc

1.2. mje13002f6.pdf Size:197K _foshan

MJE13002F6(3DD13002F6) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR
用途:主要用于节能灯、日光灯电子镇流器及其它开关、振荡电路。
Purpose: High frequency electronic lighting ballast applications,converters, inverters,
switching regulators, etc.
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数符号 数值 单位
Symbol Rating Unit
V 600 V

 1.3. mje13002f5.pdf Size:199K _foshan

MJE13002F5(3DD13002F5) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR
用途:主要用于节能灯、日光灯电子镇流器及其它开关、振荡电路。
Purpose: High frequency electronic lighting ballast applications,converters, inverters,
switching regulators, etc.
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数符号 数值 单位
Symbol Rating Unit
V 600 V

1.4. mje13002f2.pdf Size:193K _foshan

MJE13002F2(3DD13002F2) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR
用途:主要用于节能灯、日光灯电子镇流器及其它开关、振荡电路。
Purpose: High frequency electronic lighting ballast applications,converters, inverters,
switching regulators, etc.
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数符号 数值 单位
Symbol Rating Unit
V 600 V

Другие транзисторы… 2SC4355
, 2SC4356
, 2SC4357
, 2SC4358
, 2SC4359
, 2SC436
, 2SC4360
, 2SC4361
, BD139
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, 2SC4368
, 2SC4369
, 2SC437
.

YAREN 40N15 transistor 13002/ smd transistor manufacturers 150V 40 A


US $0.03-$1.00

/ Piece

1 Piece (Min. Order)

3YRS

Wuxi Yarun Semiconductor Technology Co., Ltd.

(2)

93.3%

Contact Supplier

Маркировка

Цифры “13001” на корпусе дают общее представление об этом полупроводниковом устройстве. Многие производители маркируют так свои изделия из-за отсутствия места на корпусе ТО-92, не указывая при этом префикс в начале. В статье приведены технические характеристики устройств малоизвестных в России производителей DGNJDZ, Semtech Electronics, YFWDIODE. Указанные производители в своих даташитах не указывают дополнительных символов маркировки. Без дополнительных обозначений маркирует свой транзистор TS13001 тайваньская компания TSMC. Первые две литеры “TS” являются аббревиатурой первых двух слов в полном названии компании Taiwan Semiconductor Manufacturing Company. В тоже время, на рыке достаточно широко представлены транзисторы mje13001, которые тоже промаркированы цифрами 13001. SHENZHEN JTD ELECTRONICS и многие другие производители применяют s13001 s8d при маркировке своих девайсов. Встречаются и другие префиксы, не рассмотренные в статье. Многие продавцы не заморачиваясь с маркировкой в наименовании товара, указывают все возможные его типы вместе с датой производства.

Лечение случной болезни

Для лечения скакунов применяют препарат Наганин. Перед началом проведения терапии животное взвешивают. Инструкция к применению препарата содержит сведения о способе приготовления раствора для внутривенного введения. Дозировку рассчитывают из соотношения 0,01-0,15 на 1 кг веса лошади. В качестве препаратов нового поколения применяют средства Соварсен, Антимозан, Фуадин.

Основное лечение дополняют сердечными и поддерживающими медикаментозными средствами. Больных питомцев переводят на усиленное питание.

ALJ13002 Datasheet (PDF)

1.1. alj13002.pdf Size:103K _update

SUNROC ALJ13002 TRANSISTOR(NPN) FEATURES 1. EMITTER Power dissipation 2.COLLECTOR PCM:0.8W(Tamb=25℃) Collector current 3.BASE ICM:0.6A Collector-base voltage V(BR)CBO: 600V 1 2 3 Opcrating and storage junction temperature range TJ,Tstg:-65℃ to -150℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Tamb=25℃ unless otherwise specjfied): MIN TYP MAX UNIT Parameter Symbol Tes

3.1. alj13005.pdf Size:150K _update

SUNROC ALJ13005 TRANSISTOR(NPN) MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃ unless otherwise noted) MAXI Parameter Value Units Collector-Base Voltage VCBO 700 V Collector-Emitter Voltage VCEO 400 V Emitter-Base Voltage VEBO 9 V Collector Current IC 2.0 A Collector Power Dissipation PC 50 W Junction Temperature Tj 150 ℃ Storag Temperature -55~150 ℃ Tstg ELECTRICAL CHARACTERISTICS

SUNROC ALJ13003 TRANSISTOR(NPN) FEATURES ·power switching applications MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 600 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V VEBO Emitter-Base Voltage 9 V IC Collector Current-Continuous 1.2 A PC Collector Power Dissipation 25 W TJ Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature -55

3.3. alj13001.pdf Size:195K _update

SUNROC ALJ13001 TRANSISTOR (NPN) TO-92 FEATURES 1. BASE power switching applications 2. COLLECTOR 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units 1 2 3 VCBO Collector -Base Voltage 600 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collector Current -Continuous 0.2 A PC Collector Power Dissipation

3.4. alj13003.pdf Size:104K _update

SUNROC ALJ13003 TRANSISTOR(NPN) FEATURES ·power switching applications MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 600 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V VEBO Emitter-Base Voltage 9 V IC Collector Current-Continuous 1.2 A PC Collector Power Dissipation 25 W TJ Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature -55

Характеристики

Основные характеристики
Производитель HIKVISION
Модель HKKD-13002найти похожее (видеонаблюдение)
Тип оборудования Профессиональный блок питания
Описание AC адаптер 24 В с оголенными проводами на выходе
Цвета, использованные в оформлении Черный
Частота 50 Гц
Конструкция
Материал корпуса Пластик
Эксплуатационные параметры
Рабочая температура 0 ~ 40 °C
Интерфейс, разъемы и выходы
Разъемы Оголенный провод
Безопасность
Защита от перегрузки, от короткого замыкания, от перенапряжения
Питание
Входное напряжение 230 В
Выходное напряжение 24 В
Номинальный ток 5 А (на выходе)
Мощность блока питания 120 Вт
Логистика
Размеры (ширина x высота x глубина) 99 x 80 x 120 мм
Размеры упаковки (измерено в НИКСе) 16 x 15 x 8.44 см
Вес брутто (измерено в НИКСе) 2.771 кг

Выбор материалов

Чтобы проложить трубы сточной системы можно подобрать изделия из
абсолютно любых материалов

Важно помнить, что ещё десятилетие назад канализационные трубы для
подземной прокладки изготавливались исключительно из чугуна. Однако
технологии производства меняются ежедневно и сейчас оптимальным вариантом
считаются полимерные трубы. Связано это с тем, что металл довольно скоротечно
выходит из строя, причиняя неудобства собственникам домов

Пластиковые изделия
выделяются продолжительным сроком службы и имеют гораздо меньший вес по
сравнению с чугунными аналогами. Такое обстоятельство облегчает процесс
проведения канализации, так как для погружения металлических деталей в землю
придётся привлекать специальную технику. Соответственно, возрастают финансовые
вложения в строительство

Связано это с тем, что металл довольно скоротечно
выходит из строя, причиняя неудобства собственникам домов. Пластиковые изделия
выделяются продолжительным сроком службы и имеют гораздо меньший вес по
сравнению с чугунными аналогами. Такое обстоятельство облегчает процесс
проведения канализации, так как для погружения металлических деталей в землю
придётся привлекать специальную технику. Соответственно, возрастают финансовые
вложения в строительство.

Транзисторы 13001 13003 13005 13007 13009

Транзисторы 13001 13003 13005 13007 13009 — это биполярные n-p-n транзисторы широко распространенные в импортных бытовых приборах (люмининсцентные энергосберегающие лампы, зарядные устройства и блоки питания от мощных компьютерных до маломощных бытовых).

Серия транзисторов MJE13001 — MJE13009 биполярные высоковольтные с N-P-N проводимостью специально разработана для использования в импульсной технике. Они характеризуются высоким напряжением и повышенным быстродействием.

Транзистор 13003 — аналог, datasheet, цоколевка, параметры, замена

Транзистор 13003 имеет множество имён, которые зависят от фирмы производителя. Под транзистором 13003 скрываются имена wg2gf 13003, wg 2 gf 13003, wg2 13003, alj 13003 и оригинальное название mje 13003 или MJE13003

Транзистор 13001 Цоколевка

В зависимости от фирмы-производителя цоколевка транзистора может отличаться от приведенной. Указанная распиновка соответствует транзисторам «Motorola Inc»

параметры биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13001

Absolute Maximum Ratings TC=25°C TO-92

Collector-Base Voltage V CBO 500 V

Collector-Emitter Voltage V CEO 400 V

Emitter- Base Voltage V EBO 9 V

Collector Current I C 0.3 A

Total Power Dissipation P C 7 W

Junction Temperature Tj 150 °C

Storage Temperature Tstg -65-150 °C

параметры биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13009

Pc maxUcb maxUce maxUeb maxIc maxTj max, °CFt maxCc tipHfe
100W700V400V9V12A150°C1608/40

Транзистор 13005 Цоколевка

Аналоги импортных транзисторов серии 13001, 13003, 13005, 13007, 13009

Биполярный транзистор 3DD13002B1D — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 3DD13002B1D

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15

Корпус транзистора: TO92

3DD13002B1D
Datasheet (PDF)

1.1. 3dd13002b.pdf Size:398K _lge

 3DD13002B(NPN)
TO-92 Bipolar Transistors
TO-92
1. EMITTER
4.45
5.21
2. COLLECTOR
3. BASE
4.32
2.92 5.33
MIN
Features
power switching applications
3.43
MIN
2.41
2.67
MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted)
3.18
Symbol Parameter Value Units
2.03
4.19
2.67
VCBO Collector-Base Voltage 600 V
1.14
1.40
2.03
VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V
2.67

1.2. 3dd13002b.pdf Size:149K _wietron

3DD13002B
Switch Mode NPN Transistors
TO-92
1. EMITTER
1
2
2. COLLECTOR
3
3. BASE
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C)
Rating Symbol
Value Unit
Collector-Emitter Voltage V
CEO 400 Vdc
Collector-Base Voltage VCBO 600
Vdc
Emitter-Base VOltage VEBO
6.0 Vdc
Collector Current IC
1.0 Adc
PD 1.0
Total Device Dissipation T =25 C W
A
Junction Temperature T 150
j C
Storage, Tempera

 1.3. 3dd13002b1-7.pdf Size:178K _crhj

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
R

3DD13002 B1-7
产品概述 特征参数
产品特点
● 开关损耗低
3DD13002 B1-7 是硅 符 号 额定值 单 位
● 反向漏电流小
VCEO 450 V
NPN 型功率开关晶体管,该
● 高温特性好
IC 0.5 A
产品采用平面工艺,
分压环
● 合适的开关速度
Ptot (Ta=25℃) 0.7 W
终端结

1.4. 3dd13002b1.pdf Size:182K _crhj

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
R

3DD13002 B1
产品概述 特征参数
产品特点
● 开关损耗低
3DD13002 B1 是硅 NPN 符 号 额定值 单 位
● 反向漏电流小
VCEO 400 V
型功率开关晶体管,
该产品
● 高温特性好
IC 0.5 A
采用平面工艺,
分压环终端
● 合适的开关速度
Ptot (Ta=25℃) 0.8 W

 1.5. 3dd13002b1d.pdf Size:183K _crhj

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
R

3DD13002 B1D
产品概述 特征参数
产品特点
● 开关损耗低
3DD13002 B1D 是硅 符 号 额定值 单 位
● 反向漏电流小
VCEO 400 V
NPN 型功率开关晶体管,该
● 高温特性好
IC 0.5 A
产品采用平面工艺,
分压环
● 合适的开关速度
Ptot (Ta=25℃) 0.8 W
终端结构

Другие транзисторы… 2SC4355
, 2SC4356
, 2SC4357
, 2SC4358
, 2SC4359
, 2SC436
, 2SC4360
, 2SC4361
, BD139
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, 2SC4368
, 2SC4369
, 2SC437
.

MJE13002G5 Datasheet (PDF)

1.1. mje13002g.pdf Size:303K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
MJE13002-E NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
HIGH VOLTAGE
FAST-SWITCHING NPN
POWER TRANSISTOR
 DESCRIPTION
The UTC MJE13002-E designed for use in high–volatge, high
speed,power switching in inductive circuit, It is particularly suited
for 115 and 220V switchmode applications such as switching
regulator’s,inverters, DC-DC converter, Motor co

1.2. mje13002g1.pdf Size:213K _foshan

MJE13002G1(3DD13002G1) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR
用途: 主要用于节能灯、日光灯电子镇流器及其它开关、振荡电路。
Purpose: High frequency electronic lighting ballast applications,converters, inverters,
switching regulators, etc.
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数符号 数值 单位
Symbol Rating Unit
V 600 V

 1.3. mje13002g2.pdf Size:218K _foshan

MJE13002G2(3DD13002G2) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR
用途: 主要用于节能灯、日光灯电子镇流器及其它开关、振荡电路。
Purpose: High frequency electronic lighting ballast applications,converters, inverters,
switching regulators, etc.
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数符号 数值 单位
Symbol Rating Unit
V 600 V

1.4. mje13002g6.pdf Size:220K _foshan

MJE13002G6(3DD13002G6) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR
用途: 主要用于节能灯、日光灯电子镇流器及其它开关、振荡电路。
Purpose: High frequency electronic lighting ballast applications,converters, inverters,
switching regulators, etc.
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数符号 数值 单位
Symbol Rating Unit
V 600 V

 1.5. mje13002g5.pdf Size:269K _foshan

MJE13002G5(3DD13002G5) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR
用途: 主要用于节能灯、日光灯电子镇流器及其它开关、振荡电路。
Purpose: High frequency electronic lighting ballast applications,converters, inverters,
switching regulators, etc.
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数符号 数值 单位
Symbol Rating Unit
V 600 V

Рейтинг автора
5
Материал подготовил
Максим Иванов
Наш эксперт
Написано статей
129
Ссылка на основную публикацию
Похожие публикации